博世750V碳化硅小身材，大能量

博世第二代碳化硅

相較于其他硅基器件，博世第二代碳化硅將開關(guān)頻率提高了3-5倍，減少約50%的損耗，可延長電動汽車約6%的續(xù)航里程，使得更小的電池成為可能，有助于降低新能源汽車的運(yùn)行成本。該產(chǎn)品能夠在較高電壓和溫度下運(yùn)行，大幅降低了電動汽車的充電時間。

與此同時，碳化硅功率模塊具備超高的功率密度，它比傳統(tǒng)的硅基功率模塊體積更小，能節(jié)省更多控制器內(nèi)部的安裝空間。整體而言，該產(chǎn)品能夠助力更強(qiáng)大、更可靠的汽車系統(tǒng)，從而提升終端用戶車輛的整體性能和駕駛體驗(yàn)。

對比第一代產(chǎn)品，第二代碳化硅芯片功率密度更高，改進(jìn)了體二極管，進(jìn)一步加快了開關(guān)速度，并降低了開關(guān)損耗。

在溝槽工藝方面，博世第二代碳化硅MOSFET芯片進(jìn)一步降低30%的pitch size，實(shí)現(xiàn)單位面積Rdson 30%的縮減，Rdsonsp進(jìn)一步得到降低。博世專利的溝槽技術(shù)遙遙領(lǐng)先于平面型工藝碳化硅的技術(shù)表現(xiàn)，有利于芯片性能表現(xiàn)、產(chǎn)出與成本控制。

博世第二代750V碳化硅于2023年第三季度正式SOP，支持更高的結(jié)溫耐受，支持短時在最高200℃的溫度下連續(xù)運(yùn)行（生命周期累計不超過100小時），實(shí)現(xiàn)碳化硅電橋短時BOOST模式（短時輸出更大的功率），以及更好的高溫性能：

• 100℃Rdson溫度系數(shù)降低至1.125

• 175℃Rdson溫度系數(shù)降低至1.45

  -25℃Rdson@6.4mohm

  -100℃Rdson@7.2mohm

  -175℃Rdson@9.3mohm

參數(shù)及優(yōu)勢：

• Rdsonsp 140 mohm*mm2

• 100度Rdson溫度系數(shù)1.125，175度Rdson溫度系數(shù)1.45

• 整體損耗（開關(guān)損耗，導(dǎo)通損耗）降低20%

• 進(jìn)一步降低Cds結(jié)電容，優(yōu)化寄生導(dǎo)通

• 體二極管一致性提高

• 短路魯棒性進(jìn)一步提升

• 支持200℃高溫持續(xù)運(yùn)行（生命周期累計不超過100小時）

• 支持門極負(fù)壓關(guān)斷（推薦門極工作電壓-5V/18V）

• 通過高于AQG-324可靠性驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)的博世功率芯片可靠性驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)

• 通過DGS, DRB 和 D-H3TRB(動態(tài)HTGB、動態(tài)HTRB、動態(tài)H3TRB)可靠性驗(yàn)證
  
  

博世在德國羅伊特林根擁有自己的SiC晶圓制造廠，具備研發(fā)與生產(chǎn)的能力。可以對來自上下游工藝步驟的反饋?zhàn)龀鲅杆俜磻?yīng)，并持續(xù)改善優(yōu)化工藝質(zhì)量與產(chǎn)品質(zhì)量。

同時博世在美國羅斯維爾的工廠預(yù)計將于2026年前開始生產(chǎn)SiC產(chǎn)品，羅斯維爾的投產(chǎn)將進(jìn)一步滿足全球電車市場對碳化硅的強(qiáng)勁需求。

博世汽車電子將持續(xù)發(fā)力，在質(zhì)量上精益求精，引領(lǐng)卓越創(chuàng)新，為更多整車廠提供產(chǎn)品力的保證，賦能汽車產(chǎn)業(yè)走向未來。