追溯車輛事故起因,車載 T-BOX 很關鍵!
2018-08-30 13:48:53· 來源:富士通電子
T-BOX(Telematics BOX)是基于車規(guī)級對可靠性、工作溫度、抗干擾等方面的嚴格要求,通過4G遠程無線通訊、GPS衛(wèi)星定位、加速度傳感和CAN通訊功能,實現車輛遠程監(jiān)控、遠程控制、安全監(jiān)測和報警、遠程診斷等多種在線應用的車聯網標準終端。
T-BOX(Telematics BOX)是基于車規(guī)級對可靠性、工作溫度、抗干擾等方面的嚴格要求,通過4G遠程無線通訊、GPS衛(wèi)星定位、加速度傳感和CAN通訊功能,實現車輛遠程監(jiān)控、遠程控制、安全監(jiān)測和報警、遠程診斷等多種在線應用的車聯網標準終端。
根據工信部《新能源汽車生產企業(yè)及產品準入管理規(guī)定》,自2017年1月1日起對新生產的全部新能源汽車安裝車載控制單元,新能源汽車的 T-BOX 前裝率將得到大幅度提升。

T-BOX 可以直接與汽車CAN總線通信,獲取車身狀態(tài)等信息,并將這些參數上傳到后臺,并基于此將遠程控制功能擴展至手機APP,實現手機APP的車輛信息顯示與控制。假如發(fā)生事故、出現斷電的情況,T-BOX 在瞬間失去電源供應,那么當時的車輛信息狀態(tài)未能保存,在后期就無法溯源事故起因。
怎么辦?
FRAM來解決
上述問題,在 FRAM 面前就可以輕松解決,因為 FRAM 的高燒寫耐久性、高速寫入操作可以使 T-BOX 輕松實現 以下數據存儲:
-系統(tǒng)需要以1次/0.2秒的速度,連續(xù)記錄CAN通信數據;
-系統(tǒng)需要以1次/秒的速度,連續(xù)低記錄位置數據;
-一旦發(fā)生事故,要求記錄在此之前的10秒內的每秒的行駛狀態(tài)數據(剎車、發(fā)動機轉速等)

在存儲器Memory的性能指標中,寫入速度是重要參考指標之一。相較競爭產品E2PROM的“擦除+寫入”與Flash的“扇面擦除+寫入”的數據改寫方法,FRAM可直接覆蓋寫入數據,免去了“擦除”步驟,存儲寫入速度更勝一籌,此乃“快”之訣竅!
以256Kb獨立的FRAM存儲器為例,每寫入1 Byte數據,所需時間僅為150ns。而E2PROM完成同樣操作,需耗時5ms;Flash寫入1 Byte數據耗時雖較E2PROM快一些,但仍需0.05ms;與FRAM寫入速度相比,E2PROM與Flash可謂不在一個數量級上!

FRAM寫入1字節(jié)數據的時間約為E2PROM的 1/33,000

斷電瞬間,FRAM可保存數據而E2PROM無法保證
除此以外,FRAM在寫入速度快的基礎上,功耗更是維持在非常低的水平!以64Byte數據寫入為例,E2PROM整個過程需消耗能量79,500nJ,而FRAM僅需180nJ,小于前者的1/400。在“快”之基礎上,保持強悍的功耗表現,是富士通FRAM制造工藝的水平所在!

FRAM寫入64字節(jié)數據的功耗比E2PROM小得多
如今,ADAS等自動駕駛應用正興,“存儲器江湖”群雄逐鹿!憑借高速寫入等多項優(yōu)異性能,富士通車規(guī)級FRAM符合嚴苛的汽車行業(yè)AEC Q100標準規(guī)范,可滿足車載T-BOX、信息娛樂系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng)、安全氣囊、胎壓監(jiān)測系統(tǒng)等應用需求。
根據工信部《新能源汽車生產企業(yè)及產品準入管理規(guī)定》,自2017年1月1日起對新生產的全部新能源汽車安裝車載控制單元,新能源汽車的 T-BOX 前裝率將得到大幅度提升。

T-BOX 可以直接與汽車CAN總線通信,獲取車身狀態(tài)等信息,并將這些參數上傳到后臺,并基于此將遠程控制功能擴展至手機APP,實現手機APP的車輛信息顯示與控制。假如發(fā)生事故、出現斷電的情況,T-BOX 在瞬間失去電源供應,那么當時的車輛信息狀態(tài)未能保存,在后期就無法溯源事故起因。
怎么辦?
FRAM來解決
上述問題,在 FRAM 面前就可以輕松解決,因為 FRAM 的高燒寫耐久性、高速寫入操作可以使 T-BOX 輕松實現 以下數據存儲:
-系統(tǒng)需要以1次/0.2秒的速度,連續(xù)記錄CAN通信數據;
-系統(tǒng)需要以1次/秒的速度,連續(xù)低記錄位置數據;
-一旦發(fā)生事故,要求記錄在此之前的10秒內的每秒的行駛狀態(tài)數據(剎車、發(fā)動機轉速等)

在存儲器Memory的性能指標中,寫入速度是重要參考指標之一。相較競爭產品E2PROM的“擦除+寫入”與Flash的“扇面擦除+寫入”的數據改寫方法,FRAM可直接覆蓋寫入數據,免去了“擦除”步驟,存儲寫入速度更勝一籌,此乃“快”之訣竅!
以256Kb獨立的FRAM存儲器為例,每寫入1 Byte數據,所需時間僅為150ns。而E2PROM完成同樣操作,需耗時5ms;Flash寫入1 Byte數據耗時雖較E2PROM快一些,但仍需0.05ms;與FRAM寫入速度相比,E2PROM與Flash可謂不在一個數量級上!

FRAM寫入1字節(jié)數據的時間約為E2PROM的 1/33,000

斷電瞬間,FRAM可保存數據而E2PROM無法保證
除此以外,FRAM在寫入速度快的基礎上,功耗更是維持在非常低的水平!以64Byte數據寫入為例,E2PROM整個過程需消耗能量79,500nJ,而FRAM僅需180nJ,小于前者的1/400。在“快”之基礎上,保持強悍的功耗表現,是富士通FRAM制造工藝的水平所在!

FRAM寫入64字節(jié)數據的功耗比E2PROM小得多
如今,ADAS等自動駕駛應用正興,“存儲器江湖”群雄逐鹿!憑借高速寫入等多項優(yōu)異性能,富士通車規(guī)級FRAM符合嚴苛的汽車行業(yè)AEC Q100標準規(guī)范,可滿足車載T-BOX、信息娛樂系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng)、安全氣囊、胎壓監(jiān)測系統(tǒng)等應用需求。
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